| Marke | Semikron |
| Produkt | SEMiX453GB12E4lp |
| Interner Code | IMP5029255 |
| Technische Spezifikation | Art der Komponente: IGBT Kategorie IGBT Full Silicon Konfiguration: Half Bridge 1*(Phase Leg) Konstruktion: 2*(IGBT+D) Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks Gehäusetyp: Modul Gehäuse [inch] : SEMiX-3p Art des Materials: Si-Silicon RoHS Ja REACH Nein NOVINKA N RoHS1 Ano IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) 678 [A] Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) 521 [A] Uisol (@25°C/1min/50Hz) 2500 [V] UF (maximum forward voltage) 2.14 [VDC] ? UCE (sat) (@25°C) 1.8 [V] tr (Turn-on / rise time) 67 [ns] tf/tq (Turn-off / fall time) 110 [ns] Qg (Total Gate Charge) 2550 [nC] Cin (Input Capacitance) 27900 [pF] Maße (L*W*H) [mm]: 150x62x21 Tmin (minimale Arbeitstemperatur) -40 [°C] Tmax (maximale Arbeitstemperatur) 150 [°C] Rth-c (Wärmewiderstand) 0.021 [°C/W] ? L - Länge 150 [mm] W - Breite 62 [mm] H - Höhe 21 [mm] |
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