| Marke | Ixys Corporation |
| Produkt | IXFN180N25T |
| Beschreibung | GigaMOSTM Power MOSFET |
| Interner Code | IMP316868 |
| Gewicht | 1 |
Bitte senden Sie uns Ihre Anfrage per E-Mail, um Preis und Lieferzeit für Ixys Corporation - IXFN180N25T GigaMOSTM Power MOSFET zu erhalten. Wir können Sie auch für andere Modelnummern beraten. Wir versuchen auf den deutschen Industriemarkt den besten Preis und Lieferzeit für Sie in Erfahrung zu bringen.
Wir vertreiben nur neue und originale Produkte.
diode
Schottky-Diode
diode
thyristor module
MOQ=20
Einzel Kippdiode
Breakover-Diode
MOQ=20
(1 pack = 20 pcs.)
1090066 IXBOD1-14R BREAKOVER DIODE, 1400V MOQ=20
(MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B IXYS)
Diskretes Halbleitermodul
Transistor
V1 (Thyristor-Modulsatz 400A/600V)
Thyristor-Modul
Thyristor-Modul
(Doppel Thyristor-Modul)
Diskrete Halbleitermodule 255 Amps 1400V
MOD THYRISTOR DUAL 1600V Y1-CU IXYS COUNTRY OF ORIGIN: GERMANY
Thyristor-Modul
SCR Dual-Thyristormodul
MOD THYRISTOR DUAL 14KV IXYS COUNTRY OF ORIGIN: GERMANY