| Marke | Infineon |
| Produkt | FP75R12KT4 |
| Beschreibung | IGBT Silizium-Modul |
| Interner Code | IMP4672783 |
| Technische Spezifikation | Konfiguration: 3-Phasen Kollektor-Emitter-Spannung VCEO Max: 1200 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2,25 V Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C: 150 A Gate-Emitter-Leckstrom: 100 nA Pd - Verlustleistung: 385 W |
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