Marke | Infineon |
Produkt | FF200R12KS4 |
Beschreibung | IGBT-Modul |
Interner Code | IMP3393393 |
Gewicht | 1 |
Technische Spezifikation | Konfiguration: Dual Kollektor-Emitter-Spannung VCEO Max: 1200 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3,2 V Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C: 275 A Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA Pd - Verlustleistung: 1400 W |
Bitte senden Sie uns Ihre Anfrage per E-Mail, um Preis und Lieferzeit für Infineon - FF200R12KS4 IGBT-Modul zu erhalten. Wir können Sie auch für andere Modelnummern beraten. Wir versuchen auf den deutschen Industriemarkt den besten Preis und Lieferzeit für Sie in Erfahrung zu bringen.
Wir vertreiben nur neue und originale Produkte.
Motherboard
IGBT Silizium-Modul
Transist
Transist
Gate-Treiber
Transistor
Transistor
Gate-Treiber
MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
HF-Transceiver
Demo-Board
Spannungs-Regulator
Leistungsschalter
Leistungsschalter
IGBT-Transistor
Transistor