| Marke | Infineon |
| Produkt | BSM10GD120DN2 |
| Beschreibung | Transistor |
| Interner Code | IMP532962 |
| Gewicht | 1 |
| Technische Spezifikation | Konfiguration: Full Bridge Max. VCEO-Kollektor-Emitter-Spannung: 120 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2,7 V DC-Kollektor bei 25 C: 15 A Ableitstrom des Türemitters: 120 nA Dp - Verlustleistung: 80 W Verpackung/Hülle: EconoPack 2 Minimale Betriebstemperatur: - 40 C Maximale Betriebstemperatur: + 150 C Verpackung: Tray Marke: Infineon Technologies Höhe: 17 mm Länge: 107,5 mm Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V Montagestil: Chassisbefestigung Produkttyp: IGBT-Module Unterkategorie: IGBTs Technologie: Ja Breite: 45,5 mm Alias der Ersatzteilnummer: SP000100367 BSM10GD120DN2BOSA1 Stückgewicht: 180 g |
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