Kaufen Sie IXDN55N120D1 von Ixys Corporation in Österreich

Marke	Ixys Corporation
Produkt	IXDN55N120D1
Beschreibung	einzelner Transistor
Interner Code	IMP4448677
Technische Spezifikation	Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 450 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 4 Schaltgeschwindigkeit = 1MHz Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 38.2 x 25.07 x 9.6mm Betriebstemperatur max. = +150 °C

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Der IXDN55N120D1 ist so konzipiert, dass er in verschiedenen Anwendungen optimale Leistung und Haltbarkeit bietet. Bekannt für seine hochwertige Konstruktion und innovativen Funktionen, ist er die bevorzugte Wahl für Fachleute.

Hauptmerkmale des IXDN55N120D1 :

Hohe Leistung: Ingenieurtechnisch entworfen, um hervorragende Ergebnisse zu liefern.
Robuste Konstruktion: Aus hochwertigen Materialien für lang anhaltende Nutzung hergestellt.
Innovatives Design: Integriert die neueste Technologie für erhöhte Effizienz.
Kosteneffizient: Bietet ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis zu wettbewerbsfähigen Preisen.

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