Marke | Infineon |
Produkt | FF200R12KT4 |
Beschreibung | IGBT-Modul |
Interner Code | IMP4751131 |
Technische Spezifikation | Konfiguration: Dual Kollektor-Emitter-Spannung VCEO Max: 1200 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1,75 V Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C: 320 A Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA Pd - Verlustleistung: 1100 W |
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Hauptmerkmale des FF200R12KT4 :
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1200V 450A 3-PHASE Infineon IGBT Modules RoHS: non-compliant/CONTAINS Pb
transistor
IGBT Modules 1200V 1200A SINGLE
IGBT MODULE
IGBT MODULE
FZ1200R16KFZ - unknown product
transistor 1200A:1600V
IGBT Modules 3300V 1200A SINGLE
IGBT Modul
FZ800R12KL4C replaced by FZ1200R12HE4NPSA1
IGBT Modul
(Diode)
Relais
Power Factor Correction
IGBT, 600V, 50A, TO247
IGBT-Modul
LEISTUNGSTRANSISTOR
KTY11-6PTC (ARTIK URETILMIYOR/OBSOLETE)
thermistor
Ixys: Phase Control Thyristor
powerblock