Kaufen Sie FF200R12KT4 von Infineon in Österreich

Marke Infineon
Produkt FF200R12KT4
Beschreibung IGBT-Modul
Interner Code IMP4751131
Technische Spezifikation Konfiguration: Dual Kollektor-Emitter-Spannung VCEO Max: 1200 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1,75 V Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C: 320 A Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA Pd - Verlustleistung: 1100 W

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Hauptmerkmale des FF200R12KT4 :

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  • Robuste Konstruktion: Aus hochwertigen Materialien für lang anhaltende Nutzung hergestellt.
  • Innovatives Design: Integriert die neueste Technologie für erhöhte Effizienz.
  • Kosteneffizient: Bietet ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis zu wettbewerbsfähigen Preisen.

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