Kaufen Sie BSM10GD120DN2 von Infineon in Österreich

Marke	Infineon
Produkt	BSM10GD120DN2
Beschreibung	Transistor
Interner Code	IMP532962
Gewicht	1
Technische Spezifikation	Konfiguration: Full Bridge Max. VCEO-Kollektor-Emitter-Spannung: 120 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2,7 V DC-Kollektor bei 25 C: 15 A Ableitstrom des Türemitters: 120 nA Dp - Verlustleistung: 80 W Verpackung/Hülle: EconoPack 2 Minimale Betriebstemperatur: - 40 C Maximale Betriebstemperatur: + 150 C Verpackung: Tray Marke: Infineon Technologies Höhe: 17 mm Länge: 107,5 mm Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V Montagestil: Chassisbefestigung Produkttyp: IGBT-Module Unterkategorie: IGBTs Technologie: Ja Breite: 45,5 mm Alias der Ersatzteilnummer: SP000100367 BSM10GD120DN2BOSA1 Stückgewicht: 180 g

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Der BSM10GD120DN2 ist so konzipiert, dass er in verschiedenen Anwendungen optimale Leistung und Haltbarkeit bietet. Bekannt für seine hochwertige Konstruktion und innovativen Funktionen, ist er die bevorzugte Wahl für Fachleute.

Hauptmerkmale des BSM10GD120DN2 :

Hohe Leistung: Ingenieurtechnisch entworfen, um hervorragende Ergebnisse zu liefern.
Robuste Konstruktion: Aus hochwertigen Materialien für lang anhaltende Nutzung hergestellt.
Innovatives Design: Integriert die neueste Technologie für erhöhte Effizienz.
Kosteneffizient: Bietet ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis zu wettbewerbsfähigen Preisen.

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